Dise o L gico de Circuitos Digitales Usando Dispositivos Con Caracter stica Ndr (häftad)
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Format
Häftad (Paperback / softback)
Språk
Spanska
Antal sidor
250
Utgivningsdatum
2011-11-04
Upplaga
1.
Förlag
Grin Publishing
Illustrationer
Illustrations, black and white
Antal komponenter
1
Komponenter
Paperback
ISBN
9783656043539
Dise o L gico de Circuitos Digitales Usando Dispositivos Con Caracter stica Ndr (häftad)

Dise o L gico de Circuitos Digitales Usando Dispositivos Con Caracter stica Ndr

Häftad Spanska, 2011-11-04
529
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Tesis doctoral / Disertación del año 2011 en eltema Ingeniería eléctrica, Nota: -, Universidad de Sevilla, Materia: Microelectrónica, Idioma: Español, Resumen: En esta tesis doctoral se han desarrollado técnicas de diseño para circuitos electrónicos integrados que empleen dispositivos con una, o varias, regiones de resistencia diferencial negativa (Negative Differential Resistance, NDR) en su característica IV. Uno de los dispositivos más representativos con este tipo de característica es el diodo basado en el efecto túnel resonante (Resonant Tunneling Diode, RTD). Las ventajas de velocidad, consumo y complejidad reducidas que ofrecen estos diodos frente a realizaciones convencionales, ya demostradas en tecnologías III/V, se asocian a la presencia de esta región NDR. El escalado de la tecnología MOS basada en silicio está alcanzando sus límites, en cuanto a densidad y prestaciones, debido a limitaciones físicas fundamentales por lo que la inclusión de dispositivos nanoelectrónicos, en los que se utilizan efectos cuánticos para obtener las funciones típicas del transistor, es una alternativa que debe ser considerada para la que, de hecho, puede constatarse una creciente actividad investigadora.
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