• Fri frakt över 249 kr
  • •
  • Snabba leveranser
  • •
  • Billiga böcker
Kundservice

Du är på sajten för privatpersoner.

Företag, bibliotek eller offentlig verksamhet?

Du handlar på classic.bokus.com, där alla dina funktioner finns intakta.
Till classic.bokus.com
Bokus logotyp. Gå till startsidan.
  • Erbjudanden
  • Nyheter
  • Student
  • Topplistor
  • Barn & ungdom
  • Bokus Play
  • E-böcker
  • Pocketböcker
  • Spel & pussel

10% rabatt på allt med kod: NYSTART10 →

Sidfot

Mina sidor

    Hjälp

    • Kundservice
    • Vanliga frågor och svar
    • Frakt och leverans
    • Retur vid ångerrätt
    • Reklamera vara
    • Betalning
    • Köpvillkor
    • Allmänna villkor
    • Information om webbplatsens tillgänglighet

    Om Bokus

    • Om oss
    • Pressrum
    • För studenter
    • För företag
    • För bibliotek och offentlig verksamhet
    • För leverantörer
    • Hållbarhet

    Populärt

    • Aktuella erbjudanden
    • Presentkort
    • Studentlitteratur
    • Nya böcker
    • Topplistor
    • Signerade böcker
    • Engelska böcker

    Inspiration

    • Boktips
    • BookTok
    • Populära bokserier
    • Barnbokskaraktärer
    • Populära författare
    Logotyp för Bokus
    Följ oss på Facebook (extern länk)Följ oss på Instagram (extern länk)Följ oss på YouTube (extern länk)Följ oss på TikTok (extern länk)
    bokus @ CookiesAnpassa cookiesIntegritetspolicyKöpvillkor
    Till Citymail hemsida (extern länk)Till Budbee hemsida (extern länk)Till Postnord hemsida (extern länk)Till Schenker hemsida (extern länk)Till Early Bird hemsida (extern länk)Till Walleys hemsida (extern länk)
    1. Naturvetenskap och teknik
    2. Teknik och industri
    3. Elektronik och kommunikationer

    Cryogenic Operation of Silicon Power Devices

    AvRanbir Singh,B. Jayant Baliga

    Inbunden, Engelska, 1998

    Del i serien Power Electronics and Power Systems

    1 086 kr

    Beställningsvara. Skickas inom 10-15 vardagar. Fri frakt över 249 kr.

    Fler format och utgåvor

    Häftad

    1 086 kr

    Beskrivning

    The advent of low temperature superconductors in the early 1960's converted what had been a laboratory curiosity with very limited possibilities to a prac­ tical means of fabricating electrical components and devices with lossless con­ ductors. Using liquid helium as a coolant, the successful construction and operation of high field strength magnet systems, alternators, motors and trans­ mission lines was announced. These developments ushered in the era of what may be termed cryogenic power engineering and a decade later successful oper­ ating systems could be found such as the 5 T saddle magnet designed and built in the United States by the Argonne National Laboratory and installed on an experimental power generating facility at the High Temperature Institute in Moscow, Russia. The field of digital computers provided an incentive of a quite different kind to operate at cryogenic temperatures. In this case, the objective was to ob­ tain higher switching speeds than are possible at ambient temperatures with the critical issue being the operating characteristics of semiconductor switches under cryogenic conditions. By 1980, cryogenic electronics was established as another branch of electric engineering.

    Produktinformation

    • Utgivningsdatum:1998-05-31
    • Mått:155 x 235 x 11 mm
    • Vikt:421 g
    • Format:Inbunden
    • Språk:Engelska
    • Serie:Power Electronics and Power Systems
    • Antal sidor:148
    • Upplaga:1998
    • Förlag:Kluwer Academic Publishers
    • ISBN:9780792381570

    Utforska kategorier

    • Elektronik och kommunikationer inom Naturvetenskap och teknik
    • Energiteknik inom Naturvetenskap och teknik

    Innehållsförteckning

    • 1. Introduction.- 1.1 Advent of Power Cryoelectronics.- 1.2 Cryogenic Power Applications.- 1.3 Advantages of using semiconductor devices at low temperatures.- 1.4 Inferences and Objectives.- 2. Temperature Dependence of Silicon Properties.- 2.1 Semiconductor statistics and carrier Freezeout.- 2.2 Energy bandgap of Silicon.- 2.3 Intrinsic Carrier Concentration.- 2.4 Carrier Mobility.- 2.5 Carrier Lifetime.- 2.6 Breakdown Phenomenon.- 3. Schottky Barrier Diodes.- 3.1 Device Operation.- 3.2 Experimental Results.- 3.3 Optimization of Schottky Barrier Diodes for low temperature operation.- 3.4 Conclusions.- 4. P-I-N Diode.- 4.1 Basic Structure.- 4.2 Experimental Results.- 4.3 Analytical Modeling.- 4.4 Conclusions.- 5. Power Bipolar Transistors.- 5.1 Basic Operation.- 5.2 Experimental Results.- 5.3 Emitter Current Crowding.- 5.4 Transistor Optimization.- 5.5 Conclusions.- 6. Power Mosfets.- 6.1 Device Operation.- 6.2 Carrier freezeout in silicon.- 6.3 Experimental Results.- 6.4 Discussion.- 6.5 Conclusion.- 7. Insulated Gate Bipolar Transistors.- 7.1 Device operation.- 7.2 Experimental results.- 7.3 Conclusion.- 8. Power Junction Field Effect Transistors.- 8.1 Basic Operation.- 8.2 Forward Blocking.- 8.3 Forward Conduction.- 8.4 Conclusions.- 9. Asymmetric Field Controlled Thyristors.- 9.1 Basic Operation.- 9.2 Static Characteristics.- 9.3 Switching Characteristics.- 9.4 Trade-Off curve and Conclusions.- 10. Thyristors.- 10.1 Basic Operation.- 10.2 Static Characteristics.- 10.3 Switching Characteristics.- 10.4 Conclusions.- 11. Synopsis.- 11.1 Design considerations for power devices at 77K.- 11.2 Performance of power devices at 77K.- 11.3 Power devices for cryogenic applications.- References.