Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-WafernMartin SchusterHäftad339 kr
Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-WafernMartin SchusterHäftad339 kr
Del 23AltdöbernHans-Christian Feldmann, Alexander Niemann, Thomas Ketelsen, Martin Schuster, Sibylle Badstübner-GrögerHäftad100 kr