• Fri frakt över 249 kr
  • •
  • Snabba leveranser
  • •
  • Billiga böcker
Kundservice

Du är på sajten för privatpersoner.

Företag, bibliotek eller offentlig verksamhet?

Du handlar på classic.bokus.com, där alla dina funktioner finns intakta.
Till classic.bokus.com
Bokus logotyp. Gå till startsidan.
  • Erbjudanden
  • Nyheter
  • Student
  • Topplistor
  • Barn & ungdom
  • Bokus Play
  • E-böcker
  • Pocketböcker
  • Spel & pussel

10% rabatt på allt med kod NYSTART10 →

Sidfot

Mina sidor

    Hjälp

    • Kundservice
    • Vanliga frågor och svar
    • Frakt och leverans
    • Retur vid ångerrätt
    • Reklamera vara
    • Betalning
    • Köpvillkor
    • Allmänna villkor
    • Information om webbplatsens tillgänglighet

    Om Bokus

    • Om oss
    • Pressrum
    • För studenter
    • För företag
    • För bibliotek och offentlig verksamhet
    • För leverantörer
    • Hållbarhet

    Populärt

    • Aktuella erbjudanden
    • Presentkort
    • Studentlitteratur
    • Nya böcker
    • Topplistor
    • Signerade böcker
    • Engelska böcker

    Inspiration

    • Boktips
    • BookTok
    • Populära bokserier
    • Barnbokskaraktärer
    • Populära författare
    Logotyp för Bokus
    Följ oss på Facebook (extern länk)Följ oss på Instagram (extern länk)Följ oss på YouTube (extern länk)Följ oss på TikTok (extern länk)
    bokus @ CookiesAnpassa cookiesIntegritetspolicyKöpvillkor
    Till Citymail hemsida (extern länk)Till Budbee hemsida (extern länk)Till Postnord hemsida (extern länk)Till Schenker hemsida (extern länk)Till Early Bird hemsida (extern länk)Till Walleys hemsida (extern länk)
    1. Naturvetenskap och teknik
    2. Teknik och industri
    3. Elektronik och kommunikationer

    Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices

    Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, Gurzuf, Ukraine, November 1-4, 1994

    AvJean-Pierre Colinge,Jean-Pierre Colinge

    Inbunden, Engelska, 1995

    Del i serien NATO Science Partnership Subseries 3: High Technology

    869 kr

    Beställningsvara. Skickas inom 10-15 vardagar. Fri frakt över 249 kr.

    Beskrivning

    In this text, specialists in silicon-on-insulator technology from both East and West meet, giving the reader the chance to become acquainted with work from the former Soviet Union, hitherto only available in Russian and barely available to western scientists. Keynote lectures and state-of-the-art presentations give a wide-ranging panorama of the challenges posed by SOI materials and devices, material fabrication techniques, characterization, device and circuit issues.

    Produktinformation

    • Utgivningsdatum:1995-06-30
    • Mått:160 x 230 x 22 mm
    • Vikt:623 g
    • Format:Inbunden
    • Språk:Engelska
    • Serie:NATO Science Partnership Subseries 3: High Technology
    • Antal sidor:300
    • Förlag:Kluwer Academic Publishers
    • ISBN:9780792336006

    Utforska kategorier

    • Elektronik och kommunikationer inom Naturvetenskap och teknik

    Innehållsförteckning

    • SOI materials: Low dose SIMOX for ULSI applications; A.J. Auberton-Herve, et al. Why porous silicon for SOI? V.P. Bondarenko, A.M. Dorofeev. Defect engineering in SOI films prepared by zone-melting recrystallization; E.I. Givargizov, et al. Ion beam processing for SOI; W. Skorupa. Semi-insulating oxygen-doped silicon by low temperature chemical vapor deposition for SOI applications; J.C. Sturm, et al. Direct formation of thin film nitride structures by high intensity ion implantation of nitrogen into silicon; R. Yankov, F. Komarov. Stimulated technology for implanted SOI formation; V.G. Litovchenko, et al. Behaviour of oxygen and nitrogen atoms sequentially implanted into silicon; A.B. Danilin. SOI fabrication by silicon wafer bonding with the help of glass-layer fusion; N.I. Koshelev, et al. Crystallization of a-Si films on glasses by multipulse- excimer-laser technique; A.B. Limanov. Microzone laser recrystallized polysilicon layers on insulator; A.A. Druzhinin, et al. SOI materials characterization techniques: Electrical characterization techniques for SOI materials and devices; S. Christoloveanu. The defect structure of buried oxide layers in SIMOX and BESOI structures; A.G. Revesz, H.L. Hughes. IR study of buried layer structure on different stages of technology; V.G. Litovchenko, et al. Optical investigation of silicon implanted with high doses of oxygen and hydrogen ions; P.A. Aleksandrov, et al. Electrical properties of ZMR SOI structures: characterization techniques and experimental results; T.E. Rudenko et al. SOI Devices: Fabrication and characterisation of poly-Si TFTs on glass; S.D. Brotherton, et al. Hot carrier reliability of SOI structures; D.E. Ioannou. Novel TESC bipolar transistor approach for a thin-film SOI substrate; C.J. Patel, et al. Problems of radiation hardness of SOI structures and devices; A.N. Nazarov. Fabrication of SIMOX structures and ICs test elements; G.G. Voronin, et al. Low-frequency noise characterization of SOI depletion-mode p- MOSFETS; N.B. Lukyanchikova, et al. SOI circuits: SOI devices and circuits: an overview of potentials and problems; J.-P. Colinge. 1.2 mm CMOS/SOI on porous silicon; V.P. Bondarenko, et al. SOI pressure sensors based on laser recrystallized polysilicon; V.A. Voronin, et al.