• Fri frakt över 249 kr
  • •
  • Snabba leveranser
  • •
  • Billiga böcker
Kundservice

Du är på sajten för privatpersoner.

Företag, bibliotek eller offentlig verksamhet?

Du handlar på classic.bokus.com, där alla dina funktioner finns intakta.
Till classic.bokus.com
Bokus logotyp. Gå till startsidan.
  • Erbjudanden
  • Student
  • Topplistor
  • Barn & ungdom
  • Bokus Play
  • E-böcker
  • Ljudböcker
  • Pocketböcker
  • Spel och pussel

5% studentrabatt – använd koden KURSBOK27 →

Sidfot

Mina sidor

    Hjälp

    • Kundservice
    • Vanliga frågor och svar
    • Frakt och leverans
    • Retur vid ångerrätt
    • Reklamera vara
    • Betalning
    • Köpvillkor
    • Allmänna villkor
    • Information om webbplatsens tillgänglighet

    Om Bokus

    • Om oss
    • Pressrum
    • För studenter
    • För företag
    • För bibliotek och offentlig verksamhet
    • För leverantörer
    • Hållbarhet

    Populärt

    • Aktuella erbjudanden
    • Presentkort
    • Studentlitteratur
    • Nya böcker
    • Topplistor
    • Signerade böcker
    • Engelska böcker

    Inspiration

    • Boktips
    • BookTok
    • Barnbokskaraktärer
    • Populära författare
    Logotyp för Bokus
    Följ oss på Facebook (extern länk)Följ oss på Instagram (extern länk)Följ oss på YouTube (extern länk)Följ oss på TikTok (extern länk)
    bokus @ CookiesAnpassa cookiesIntegritetspolicyKöpvillkor
    Till Citymail hemsida (extern länk)Till Budbee hemsida (extern länk)Till Postnord hemsida (extern länk)Till Schenker hemsida (extern länk)Till Early Bird hemsida (extern länk)Till Walleys hemsida (extern länk)
    1. Naturvetenskap och teknik
    2. Teknik och industri
    3. Elektronik och kommunikationer

    Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI

    Materials to VLSI

    AvJ.-P. Colinge

    Inbunden, Engelska, 2004

    1 614 kr

    Beställningsvara. Skickas inom 10-15 vardagar. Fri frakt över 249 kr.

    Fler format och utgåvor

    E-bok

    2 044 kr

    Häftad

    1 614 kr

    Beskrivning

    Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, Third Edition, retraces the evolution of SOI materials, devices and circuits over a period of roughly twenty years. Twenty years of progress, research and development during which SOI material fabrication techniques have been born and abandoned, devices have been invented and forgotten, but, most importantly, twenty years during which SOI Technology has little by little proven it could outperform bulk silicon in every possible way. The turn of the century turned out to be a milestone for the semiconductor industry, as high-quality SOI wafers suddenly became available in large quantities. From then on, it took only a few years to witness the use of SOI technology in a wealth of applications ranging from audio amplifiers and wristwatches to 64-bit microprocessors. This book presents a complete and state-of-the-art review of SOI materials, devices and circuits. SOI fabrication and characterization techniques, SOI CMOS processing, and the physics of the SOI MOSFET receive an in-depth analysis.

    Produktinformation

    • Utgivningsdatum:2004-02-29
    • Mått:155 x 235 x 27 mm
    • Vikt:706 g
    • Format:Inbunden
    • Språk:Engelska
    • Antal sidor:366
    • Upplaga:3
    • Förlag:Springer-Verlag New York Inc.
    • ISBN:9781402077739

    Utforska kategorier

    • Elektronik och kommunikationer inom Naturvetenskap och teknik

    Innehållsförteckning

    • 1 Introduction.- 2 SOI Materials.- 2.1 Introduction.- 2.2 Heteroepitaxial techniques.- 2.3 Dielectric Isolation (DI).- 2.4 Polysilicon melting and recrystallization.- 2.5 Homoepitaxial techniques.- 2.6 FIPOS.- 2.7 Ion beam synthesis of a buried insulator.- 2.8 Wafer Bonding and Etch Back (BESOI).- 2.9 Layer transfer techniques.- 2.10 Strained silicon on insulator (SSOI).- 2.11 Silicon on diamond.- 2.12 Silicon-on-nothing (SON).- 3 SOI Materials Characterization.- 3.1 Introduction.- 3.2 Film thickness measurement.- 3.3 Crystal quality.- 3.4 Carrier lifetime.- 3.5 Silicon/Insulator interfaces.- 4 SOI CMOS Technology.- 4.1 SOI CMOS processing.- 4.2 Field isolation.- 4.3 Channel doping profile.- 4.4 Source and drain engineering.- 4.5 Gate stack.- 4.6 SOI MOSFET layout.- 4.7 SOI-bulk CMOS design comparison.- 4.8 ESD protection.- 5 The SOI MOSFET.- 5.1 Capacitances.- 5.2 Fully and partially depleted devices.- 5.3 Threshold voltage.- 5.4 Current-voltage characteristics.- 5.5 Transconductance.- 5.6 Basic parameter extraction.- 5.7 Subthreshold slope.- 5.8 Ultra-thin SOI MOSFETs.- 5.9 Impact ionization and high-field effects.- 5.10 Floating-body and parasitic BJT effects.- 5.11 Self heating.- 5.12 Accumulation-mode MOSFET.- 5.13 Unified body-effect representation.- 5.14 RF MOSFETs.- 5.15 CAD models for SOI MOSFETs.- 6 Other SOI Devices.- 6.1 Multiple-gate SOI MOSFETs.- 6.2 MTCMOS/DTMOS.- 6.3 High-voltage devices.- 6.4 Junction Field-Effect Transistor.- 6.5 Lubistor.- 6.6 Bipolar junction transistors.- 6.7 Photodiodes.- 6.8 G4 FET.- 6.9 Quantum-effect devices.- 7 The SOI MOSFET in a Harsh Environment.- 7.1 Ionizing radiations.- 7.2 High-temperature operation.- 8 SOI Circuits.- 8.1 Introduction.- 8.2 Mainstream CMOS applications.- 8.3 Niche applications.- 8.4 Three-dimensional integration.