Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

AvYue Hao,Jin Feng Zhang

Inbunden, Engelska, 2016

2 551 kr

Beställningsvara. Skickas inom 10-15 vardagar. Fri frakt över 249 kr.

Fler format och utgåvor

Beskrivning

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.

Produktinformation

Utforska kategorier

Mer om författaren

Innehållsförteckning

Hoppa över listan

Mer från samma författare

High Power Hadron Accelerators

Jie Wei, Leo R. Dalesio, Alberto Facco, Venkatarao Ganni, Yue Hao, Peter N. Ostroumov, Ting Xu, Yoshishige Yamazaki

Inbunden, 2026

1 413 kr

Hoppa över listan

Du kanske också är intresserad av

High Power Hadron Accelerators

Jie Wei, Leo R. Dalesio, Alberto Facco, Venkatarao Ganni, Yue Hao, Peter N. Ostroumov, Ting Xu, Yoshishige Yamazaki

Inbunden, 2026

1 413 kr

  • -19%

Ultravåld

Tone Schunnesson

Inbunden, 2026

5,0 utav 5 stjärnor. Totalt antal röster:(2)

209 kr259 kr

  • 4 för 3
Del 6

Vår sjätte attaché

Denise Rudberg

Pocket, 2026

4,4 utav 5 stjärnor. Totalt antal röster:(19)

99 kr

  • 4 för 3
Del 12

Följeslagaren

Sofie Sarenbrant

Pocket, 2026

4,5 utav 5 stjärnor. Totalt antal röster:(28)

89 kr

  • 4 för 3
Del 1

Den femte dagen

Åsa Hellberg

Pocket, 2026

4,2 utav 5 stjärnor. Totalt antal röster:(25)

99 kr

  • -30%

En dold skönhet

Lucinda Riley

Pocket, 2026

4,7 utav 5 stjärnor. Totalt antal röster:(16)

69 kr99 kr