1 Einführung.- 1.1 Der Begriff „Halbleiterdiode“ (Gliederung).- 1.2 Die Gruppe der injizierenden Dioden.- 1.3 Die Gruppe der nichtinjizierenden Dioden.- 2 Die PIN-Diode.- 2.1 Einleitung.- 2.2 Statische Kennlinie.- 2.3 Kleinsignalaussteuerung.- 2.4 Großsignalaussteuerung.- 2.5 Anwendungen der PIN-Diode.- 2.6 Technologischer Aufbau von PIN-Dioden.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Der Speichervaraktor.- 3.1 Einleitung.- 3.2 Schaltverhalten.- 3.3 Dynamisches Aussteuerungsmodell des realen Speichervaraktors.- 3.4 Betriebskenngrößen des Vervielfachers mit realem Speichervaraktor.- 3.5 Funktionsmodell des Frequenzvervielfachers mit realem Speichervaraktor.- 3.6 Grenzleistung und Konversionsverlust in Vervielfachern.- 3.7 Grenzfrequenzen.- 3.8 Technologie der Varaktordiode.- Literatur zu Kapitel 3.- 4 Der Sperrschichtvaraktor.- 4.1 Einleitung.- 4.2 Dotierungsprofil und Raumladungsweite.- 4.3 Kapazität als Funktion der Spannung.- 4.4 Kapazitätshub.- 4.5 Durchbruchspannung.- 4.6 Ersatzschaltbild und Güte.- 4.7 Temperaturverhalten.- 4.8 Anwendung von Kapazitätsdioden.- Literatur zu Kapitel 4.- 5 Der MIS-Varaktor.- 5.1 Struktur und Zustände des MIS-Varaktors.- 5.2 Quasistatisches Verhalten.- 5.3 Dynamisches Verhalten.- 5.4 Dotierungsabhängigkeit.- 5.5 Temperaturabhängigkeit.- 5.6 Anwendung.- Literatur zu Kapitel 5.- 6 Schottky-Diode.- 6.1 Einleitung.- 6.2 Metall-Halbleiter-Potentialbarrieren.- 6.3 Der stromdurehflossene Metall-Halbleiter-Kontakt.- 6.4 Ersatzschaltbild und Rauschen.- 6.5 Aufbau und Technologie der Schottky-Dioden.- 6.6 Anwendung von Schottky-Dioden.- Literatur zu Kapitel 6.- 7 Zener- und Lawinen-Diode (Z-Diode).- 7.1 Einführung.- 7.2 Gleichstromverhalten.- 7.3 Durchbruchsmechanismen.- 7.4 Stoßionisation (Lawinendiode).- 7.5 Feldemission (Zener-Diode).-7.6 Die Z-Diode als hybrides Bauelement zwischen Lawinen-und Zener-Diode.- 7.7 Technologische Designkriterien.- 7.8 Anwendung von Z-Dioden.- Literatur zu Kapitel 7.- 8 Anhang.- 8.1 Boltzmann-Gleichgewicht.- 8.2 Effektive Zustandsdichte.- 8.3 Boltzmann-Gleichgewicht und effektive Zustandsdichte beim Metall-Halbleiter-Übergang (thermionisches Emissionsmodell).- 8.4 Schottky-Approximation.- 8.5 Allgemeiner Lösungsansatz für die Großsignalanalyse bei injizierenden Dioden.- 8.6 Lebensdauer.
