• Fri frakt över 249 kr
  • •
  • Snabba leveranser
  • •
  • Billiga böcker
Kundservice

Du är på sajten för privatpersoner.

Företag, bibliotek eller offentlig verksamhet?

Du handlar på classic.bokus.com, där alla dina funktioner finns intakta.
Till classic.bokus.com
Bokus logotyp. Gå till startsidan.
  • Erbjudanden
  • Nyheter
  • Student
  • Topplistor
  • Barn & ungdom
  • Bokus Play
  • E-böcker
  • Pocketböcker
  • Spel & pussel

10% rabatt på allt med kod NYSTART10 →

Sidfot

Mina sidor

    Hjälp

    • Kundservice
    • Vanliga frågor och svar
    • Frakt och leverans
    • Retur vid ångerrätt
    • Reklamera vara
    • Betalning
    • Köpvillkor
    • Allmänna villkor
    • Information om webbplatsens tillgänglighet

    Om Bokus

    • Om oss
    • Pressrum
    • För studenter
    • För företag
    • För bibliotek och offentlig verksamhet
    • För leverantörer
    • Hållbarhet

    Populärt

    • Aktuella erbjudanden
    • Presentkort
    • Studentlitteratur
    • Nya böcker
    • Topplistor
    • Signerade böcker
    • Engelska böcker

    Inspiration

    • Boktips
    • BookTok
    • Populära bokserier
    • Barnbokskaraktärer
    • Populära författare
    Logotyp för Bokus
    Följ oss på Facebook (extern länk)Följ oss på Instagram (extern länk)Följ oss på YouTube (extern länk)Följ oss på TikTok (extern länk)
    bokus @ CookiesAnpassa cookiesIntegritetspolicyKöpvillkor
    Till Citymail hemsida (extern länk)Till Budbee hemsida (extern länk)Till Postnord hemsida (extern länk)Till Schenker hemsida (extern länk)Till Early Bird hemsida (extern länk)Till Walleys hemsida (extern länk)
    1. Naturvetenskap och teknik
    2. Teknik och industri
    3. Elektronik och kommunikationer

    Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD’97

    AvPeter Kordos,Josef Novák

    Inbunden, Engelska, 1998

    Del i serien NATO Science Partnership Subseries: 3

    2 162 kr

    Beställningsvara. Skickas inom 10-15 vardagar. Fri frakt över 249 kr.

    Beskrivning

    Novel microelectronic and optoelectronic devices are based on semiconductor heterostructures. The present book discusses various questions related to the use of new materials, such as compound semiconductors based on high band-gap nitrides and low band-gap antimonides, and new procedures, such as low-temperature epitaxial growth, and new principles, such as nanostructures, quantum wires and dots, the aim being to achieve high-performance heterostructural electronic devices.

    Produktinformation

    • Utgivningsdatum:1998-03-31
    • Mått:155 x 235 x 21 mm
    • Vikt:654 g
    • Format:Inbunden
    • Språk:Engelska
    • Serie:NATO Science Partnership Subseries: 3
    • Antal sidor:320
    • Upplaga:1998
    • Förlag:Kluwer Academic Publishers
    • ISBN:9780792350125

    Utforska kategorier

    • Elektronik och kommunikationer inom Naturvetenskap och teknik

    Innehållsförteckning

    • Preface. Section I: Physics and Technology. Physics and Technology of Semiconductor Nanostructures; H. Lüth. Molecular Beam Epitaxy: Physics and Technology; M. Henini. 6H-SiC(001)/AlN/GaN Epitaxial Heterojunctions and Their Valence Band Offset; A. Rizzi. Optical Properties of Antimonide Based Heterostructures Grown by All-Organometallic Vapour Phase Epitaxy; T. Tuomi. MOVPE Technology for Multiwafer Production: Ga-Al-In-N Heterostructures and Optical and Electrical Properties of Deposited Layers; M. Deschler, et al. Molecular Beam Epitaxy of Narrow-Gap III-V Antimonides for Infrared Detectors and Sources; G. Borghs, et al. The Stability of the Misfit Dislocation Array at the Substrate-Epitaxial Layer Interface; E. Dobrocka, et al. Surface Reconstruction Processes in the Scope of the BCF Theory of Crystal Growth; D. Nohavica. Influence of Si Doping on Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs; Z.R. Zytkiewicz, D. Dobosz. Temperature Dependent Quasiplateaux of Hall Effect in Multi-delta-Layers; J.J. Mares, et al. Self-Consistent Analysis of Electronic Structure of Coupled delta-Doped Layers in GaAs; J. Osvald, E. Burian. Semiquantal Dynamics of Electrons in Quantum Heterostructures; L.V. Yurchenko, V.B. Yurchenko. Phase-Shift Analysis of Two-Dimensional Carrier-Carrier Scattering; A. Mosková, M. Mosko. Carrier-Impurity Collisions in a Narrow Quantum Wire: Born Approximation Versus Exact Solution; P. Vágner, M. Mosko. Low Temperature Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN Layers on Different Substrates; R. Fornari, et al. Study of Gallium Nitride Films Grown by MOCVD; R. Paszkiewicz, et al. A Comparison of Galvanomagnetic Properties of GaN Epitaxial Layers Grown on Silicon and Sapphire Substrates; K. Somogyi, Yu.V. Zhilyaev. The Effectof theSubstrate Thermal Stresses on the Misfit Dislocation Generation; E. Dobročka. Experimental Study of the Thermal Decomposition of Heteroepitaxial and Bulk InP; F. Riesz, et al. Antiphase Boundaries in the Ordered InGaP Epitaxial Layers Prepared by MOCVD; M. Harvanka, et al. Critical Thickness Investigation of InxGa1-xAs/GaAs by X-Ray Measurements; M. Tlaczala, et al. MOVPE Growth of InGaP/GaAs Interfaces; R. Kúdela, et al. GaAs and InP on Si with InGaP Buffer Layers; H.-H. Wehmann, et al. Crystal Structure and Photoluminescence of In1-xGaxAs Heteroepitaxial Layers Grown on InP Substrates; V.A. Bykovsky, et al. Investigation of InxGa1-xAs/GaAs Heterostructures by Electrochemical Method; A. Nemcsics, L. Dobos. Technological and Physical Aspects of the Improvement of Uniformity of Pure and Lightly Doped GaAs Epitaxial Layers; V.A. Bykovsky, et al. Characterization of InP Layers Prepared by LPE Using Ytterbium and Erbium Admixture; O. Procházková, et al. Characterization of InP:Zn Layers by Photoluminescence and Photo-Electrochemical C-V Profiling; V.F. Andrievski, et al. Spectroscopic Ellipsometry: Application to Complex Optoelectronic Layer Systems; B. Rheinlánder, et al. Section II: Heterostructures and Devices. InGaP/GaAs Carbon-Doped Heterostructures for Heterojunction Bipolar Transistors; Q.J. Hartmann, et al. InxGa1-xP Quantum Wire Structures Grown by MOVPE Technique; J. Novák. Low-Temperature Grown Molecular-Beam Epitaxial GaAs for Terahertz Photomixing; P. Kordoš. InP-HEMT-Based Digital Circuit Technology; I. Adesida, A. Mahajan. Layers and Heterostructures for High