• Fri frakt över 249 kr
  • •
  • Snabba leveranser
  • •
  • Billiga böcker
Kundservice

Du är på sajten för privatpersoner.

Företag, bibliotek eller offentlig verksamhet?

Du handlar på classic.bokus.com, där alla dina funktioner finns intakta.
Till classic.bokus.com
Bokus logotyp. Gå till startsidan.
  • Erbjudanden
  • Nyheter
  • Student
  • Topplistor
  • Barn & ungdom
  • Bokus Play
  • E-böcker
  • Pocketböcker
  • Spel & pussel

10% rabatt på allt med kod NYSTART10 →

Sidfot

Mina sidor

    Hjälp

    • Kundservice
    • Vanliga frågor och svar
    • Frakt och leverans
    • Retur vid ångerrätt
    • Reklamera vara
    • Betalning
    • Köpvillkor
    • Allmänna villkor
    • Information om webbplatsens tillgänglighet

    Om Bokus

    • Om oss
    • Pressrum
    • För studenter
    • För företag
    • För bibliotek och offentlig verksamhet
    • För leverantörer
    • Hållbarhet

    Populärt

    • Aktuella erbjudanden
    • Presentkort
    • Studentlitteratur
    • Nya böcker
    • Topplistor
    • Signerade böcker
    • Engelska böcker

    Inspiration

    • Boktips
    • BookTok
    • Populära bokserier
    • Barnbokskaraktärer
    • Populära författare
    Logotyp för Bokus
    Följ oss på Facebook (extern länk)Följ oss på Instagram (extern länk)Följ oss på YouTube (extern länk)Följ oss på TikTok (extern länk)
    bokus @ CookiesAnpassa cookiesIntegritetspolicyKöpvillkor
    Till Citymail hemsida (extern länk)Till Budbee hemsida (extern länk)Till Postnord hemsida (extern länk)Till Schenker hemsida (extern länk)Till Early Bird hemsida (extern länk)Till Walleys hemsida (extern länk)
    1. Naturvetenskap och teknik
    2. Teknik och industri
    3. Elektronik och kommunikationer

    Hierarchical Device Simulation

    The Monte-Carlo Perspective

    AvChristoph Jungemann,Bernd Meinerzhagen

    Inbunden, Engelska, 2003

    Del i serien Computational Microelectronics

    1 085 kr

    Beställningsvara. Skickas inom 10-15 vardagar. Fri frakt över 249 kr.

    Fler format och utgåvor

    Häftad

    1 085 kr

    Beskrivning

    This book summarizes the research of more than a decade. Its early motivation dates back to the eighties and to the memorable talks Dr. C. Moglestue (FHG Freiburg) gave on his Monte-Carlo solutions of the Boltzmann transport equation at the NASECODE conferences in Ireland. At that time numerical semiconductor device modeling basically implied the application of the drift-diffusion model. On the one hand, those talks clearly showed the potential of the Monte-Carlo model for an accurate description of many important transport issues that cannot adequately be addressed by the drift-diffusion approximation. On the other hand, they also clearly demonstrated that at that time only very few experts were able to extract useful results from a Monte-Carlo simulator. With this background, Monte-Carlo research activities were started in 1986 at the University of Aachen (RWTH Aachen), Germany. Different to many other Monte-Carlo research groups, the Monte-Carlo research in Aachen took place in an environment of active drift-diffusion and hydrodynamic model development.

    Produktinformation

    • Utgivningsdatum:2003-06-05
    • Mått:155 x 235 x 20 mm
    • Vikt:594 g
    • Format:Inbunden
    • Språk:Engelska
    • Serie:Computational Microelectronics
    • Antal sidor:261
    • Upplaga:2003
    • Förlag:Springer Verlag GmbH
    • ISBN:9783211013618

    Utforska kategorier

    • Elektronik och kommunikationer inom Naturvetenskap och teknik
    • Teknik: allmänt inom Naturvetenskap och teknik
    • Matematik inom Naturvetenskap och teknik

    Innehållsförteckning

    • 1 Introduction.- References.- 2 Semiclassical Transport Theory.- 2.1 The Boltzmann Transport Equation.- 2.2 Balance Equations.- 2.3 The Microscopic Relaxation Time.- 2.4 Fluctuations in the Steady-State 25 References.- 3 The Monte-Carlo Method.- 3.1 Basic Monte-Carlo Methods.- 3.2 The Monte-Carlo Solver of the Boltzmann Equation.- 3.3 Velocity Autocorrelation Function.- 3.4 Basic Statistics.- 3.5 Convergence Estimation.- References.- 4 Scattering Mechanisms.- 4.1 Phonon Scattering.- 4.2 Alloy Scattering.- 4.3 Impurity Scattering.- 4.4 Impact Ionization by Electrons.- 4.5 Surface Roughness Scattering.- References.- 5 Full-Band Structure.- 5.1 Basic Properties of the Band Structure of Relaxed Silicon.- 5.2 Basic Properties of the Band Structure of Strained SiGe.- 5.3 k-Space Grid.- 5.4 Calculation of the Density of States.- 5.5 Mass Tensor Evaluation.- 5.6 Particle Motion in Phase-Space.- 5.7 Selection of a Final State in k-Space.- References.- 6 Device Simulation.- 6.1 Device Discretization.- 6.2 Band Edges.- 6.3 Poisson Equation.- 6.4 Self-Consistent Device Simulation.- 6.5 Nonlinear Poisson Equation.- 6.6 Nonself-Consistent Device Simulation.- 6.7 Statistical Enhancement.- 6.8 Terminal Current Estimation.- 6.9 Contact Resistance.- 6.10 Normalization of Physical Quantities.- References.- 7 Momentum-Based Transport Models.- 7.1 The Hydrodynamic Model.- 7.2 Small-Signal Analysis.- 7.3 Noise Analysis.- 7.4 The Drift-Diffusion Model.- 7.5 Transport and Noise Parameter Simulation.- References.- 8 Stochastic Properties of Monte-Carlo Device Simulations.- 8.1 Stochastic Error.- 8.2 In-Advance CPU Time Estimation.- References.- 9 Results.- 9.1 N+NN+ and P+PP+ Structures.- 9.2 MOSFETs.- 9.3 SiGe HBTs.- References.