Prof. Dr.-Ing. Dietmar Ehrhardt lehrt an der Universität Siegen im Fachbereich Elektrotechnik und Informatik.

"Vergleichbares, insbesondere in Bezug auf die Aktualität, ist nicht bekannt." (ekz, ID 9/01 vom 14.4.01)

• 1 Einführung.- 1.1 Historie.- 1.2 Stand der Technik und Ausblick.- 2 Wirkungsweise und Aufbau der Bauelemente.- 2.1 Dotierung und PN-Übergang.- 2.2 Bipolarer Transistor (NPN).- 2.3 Bipolarer Transistor (PNP).- 2.4 Sperrschichtfeldeffekttransistor.- 2.5 MOS-Grenzschicht.- 2.6 MOS-Transistor.- 3 Herstellungsprozeß.- 3.1 Bipolartechnik.- 3.2 CMOS-Technik.- 3.3 BiCMOS-Technik.- 3.4 Layouttechniken.- 3.5 Der MOSIS-Service.- 3.6 Der Service von Europractice.- 4 Designwerkzeuge.- 4.1 Symbolische Analyse.- 4.2 Numerische Analyse.- 4.3 Layoutsystem (LASI).- 5 Basiselemente.- 5.1 Stromquellen.- 5.2 Lastelemente.- 5.3 Differenzverstärker.- 5.4 Pegelverschiebung.- 5.5 Leistungsstufen.- 5.6 Spannungsreferenzen.- 5.7 Addierer und Subtrahierer.- 5.8 Multiplizierer.- 5.9 Oszillatoren.- 6 Komplexere Funktionen.- 6.1 Operationsverstärker.- 6.2 Current Feedback Amplifier.- 6.3 Transconductance-Verstärker (Leitwertverstärker).- 6.4 D/A-Wandler.- 6.5 A/D-Wandler.- A Anhang.- A.1 Design Rules.- A.2 CN20 SPICE-Parameter.- A.3 CD-ROM.- Sachwortverzeichnis.

Prof. Dr.-Ing. Dietmar Ehrhardt lehrt an der Universität Siegen im Fachbereich Elektrotechnik und Informatik.

"Vergleichbares, insbesondere in Bezug auf die Aktualität, ist nicht bekannt." (ekz, ID 9/01 vom 14.4.01)

• 1 Einführung.- 1.1 Historie.- 1.2 Stand der Technik und Ausblick.- 2 Wirkungsweise und Aufbau der Bauelemente.- 2.1 Dotierung und PN-Übergang.- 2.2 Bipolarer Transistor (NPN).- 2.3 Bipolarer Transistor (PNP).- 2.4 Sperrschichtfeldeffekttransistor.- 2.5 MOS-Grenzschicht.- 2.6 MOS-Transistor.- 3 Herstellungsprozeß.- 3.1 Bipolartechnik.- 3.2 CMOS-Technik.- 3.3 BiCMOS-Technik.- 3.4 Layouttechniken.- 3.5 Der MOSIS-Service.- 3.6 Der Service von Europractice.- 4 Designwerkzeuge.- 4.1 Symbolische Analyse.- 4.2 Numerische Analyse.- 4.3 Layoutsystem (LASI).- 5 Basiselemente.- 5.1 Stromquellen.- 5.2 Lastelemente.- 5.3 Differenzverstärker.- 5.4 Pegelverschiebung.- 5.5 Leistungsstufen.- 5.6 Spannungsreferenzen.- 5.7 Addierer und Subtrahierer.- 5.8 Multiplizierer.- 5.9 Oszillatoren.- 6 Komplexere Funktionen.- 6.1 Operationsverstärker.- 6.2 Current Feedback Amplifier.- 6.3 Transconductance-Verstärker (Leitwertverstärker).- 6.4 D/A-Wandler.- 6.5 A/D-Wandler.- A Anhang.- A.1 Design Rules.- A.2 CN20 SPICE-Parameter.- A.3 CD-ROM.- Sachwortverzeichnis.

Prof. Dr.-Ing. Dietmar Ehrhardt lehrt an der Universität Siegen im Fachbereich Elektrotechnik und Informatik.

"Vergleichbares, insbesondere in Bezug auf die Aktualität, ist nicht bekannt." (ekz, ID 9/01 vom 14.4.01)

• 1 Einführung.- 1.1 Historie.- 1.2 Stand der Technik und Ausblick.- 2 Wirkungsweise und Aufbau der Bauelemente.- 2.1 Dotierung und PN-Übergang.- 2.2 Bipolarer Transistor (NPN).- 2.3 Bipolarer Transistor (PNP).- 2.4 Sperrschichtfeldeffekttransistor.- 2.5 MOS-Grenzschicht.- 2.6 MOS-Transistor.- 3 Herstellungsprozeß.- 3.1 Bipolartechnik.- 3.2 CMOS-Technik.- 3.3 BiCMOS-Technik.- 3.4 Layouttechniken.- 3.5 Der MOSIS-Service.- 3.6 Der Service von Europractice.- 4 Designwerkzeuge.- 4.1 Symbolische Analyse.- 4.2 Numerische Analyse.- 4.3 Layoutsystem (LASI).- 5 Basiselemente.- 5.1 Stromquellen.- 5.2 Lastelemente.- 5.3 Differenzverstärker.- 5.4 Pegelverschiebung.- 5.5 Leistungsstufen.- 5.6 Spannungsreferenzen.- 5.7 Addierer und Subtrahierer.- 5.8 Multiplizierer.- 5.9 Oszillatoren.- 6 Komplexere Funktionen.- 6.1 Operationsverstärker.- 6.2 Current Feedback Amplifier.- 6.3 Transconductance-Verstärker (Leitwertverstärker).- 6.4 D/A-Wandler.- 6.5 A/D-Wandler.- A Anhang.- A.1 Design Rules.- A.2 CN20 SPICE-Parameter.- A.3 CD-ROM.- Sachwortverzeichnis.