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Grundlagen der Halbleiterphysik

AvO. Madelung

Häftad, Tyska, 1970

Del i serien Heidelberger Taschenbücher

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Produktinformation

Utgivningsdatum:1970-01-01
Mått:133 x 203 x 12 mm
Vikt:244 g
Format:Häftad
Språk:Tyska
Serie:Heidelberger Taschenbücher
Antal sidor:200
Förlag:Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
ISBN:9783540048725

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Matematik inom Naturvetenskap och teknik

Innehållsförteckning

1: Grundbegriffe der Halbleiterphysik.- 1. Definition des Halbleiters.- 2. Elektronen und Löcher.- 3. Störstellen.- 4. Effektive Masse, Beweglichkeit, Lebensdauer.- 5. Das Energiespektrum der Elektronen.- 6. Die Grenzen des klassischen Modells.- 7. Klassifikation der wichtigsten Halbleiter.- 2: Die Symmetrien des Kristallgitters.- 8. Wigner-Seitz-Zellen und Brillouin-Zonen.- 9. Die Translationsgruppe, zyklische Randbedingungen.- 10. Punktgruppen und Raumgruppen.- 3: Die Bandstruktur.- 11. Die Schrödinger-Gleichung des Ein-Elektronen-Pro-blems.- 12. Folgerungen aus der Translationsinvarianz.- 13. Folgerungen aus der Invarianz gegenüber Operationen der Raumgruppe.- 14. Irreduzible Darstellungen.- 15. Typische Eigenschaften der Bandstruktur von Halbleitern.- 16. Die Effektiv-Massen-Näherung.- 17. Dynamik der Kristallelektronen.- 18. Die Zustandsdichte.- 19. Störstellenterme im Bändermodell.- 20. Das Bändermodell im Magnetfeld.- 4: Gitterschwingungen.- 21. Normalschwingungen, Phononen.- 22. Dispersionsbeziehung für Phononen.- 5: Statistik.- 23. Das thermodynamische Gleichgewicht.- 24. Elektronen- und Löcherkonzentrationen in den Bändern und den Störstellen für den homogenen feldfreien Halbleiter.- 26. Reaktionskinetik.- 26. Das lokale Gleichgewicht: Rekombination und Erzeugung.- 27. Das räumliche Gleichgewicht: Diffusions- und Feldströme.- 6: Optische Eigenschaften.- 28. Direkte Interband-Übergänge.- 29. Indirekte Interband-Übergänge.- 30. Übergänge in Exzitonen-Zustände.- 31. Absorption und Reflexion im Magnetfeld.- 32. Elektroreflexion.- 33. Absorption freier Ladungsträger.- 34. Absorption durch Gitterschwingungen.- 7: Transporteigenschaften bei lokalem Gleichgewicht.- 35. Die Stromgleichungen.- 36. Streumechanismen.- 37. Die Stromgleichungen in derRelaxationszeit-Näherung.- 38. Elektrische Leitfähigkeit und Beweglichkeit.- 39. Galvanomagnetische Effekte.- 40. Thermoelektrische Effekte.- 41. Thermomagnetische Effekte.- 42. Abweichungen von dem Modell des homogenen nichtentarteten Halbleiters mit isotroper parabolischer Bandstruktur.- 43. Transporterscheinungen bei extremen äußeren Einflüssen.- 8: Transporteigenschaften bei Störung des lokalen Gleichgewichtes.- 44. Die Transportgleichungen.- 45. Photoleitung.- 46. Mit der Photoleitung verbundene Erscheinungen.- 47. Der p-n-Übergang.- 48. Weitere Eigenschaften von p-n-Übergängen.- 49. Photoeffekt in p-n-Übergängen.- 50. Der n-p-n-Transistor.- 51. Der Feldeffekt-Transistor.- 9: Oberflächen und Kontakte.- 52. Die freie Halbleiteroberfläche.- 53. Der Kontakt Metall-Halbleiter mit Verarmungsrandschicht.- 54. Ergänzungen zur Randschichttheorie: Inversionsschichten und Anreicherungs-Randschichten.- 10: Die wichtigsten Eigenschaften spezieller Halbleiter.- 55. Halbleiter mit tetraedrischem Gitter.- 56. Weitere halbleitende Elemente und Verbindungen.- 57. Anwendungsmöglichkeiten der Halbleiter.- Schlußbemerkungen.- Liste der verwendeten Symbole.