Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente

AvW.v. Münch

Häftad, Tyska, 2012

Del i serien Technische Physik in Einzeldarstellungen

417 kr

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Produktinformation

Utgivningsdatum:2012-03-15
Mått:155 x 235 x 10 mm
Vikt:265 g
Format:Häftad
Språk:Tyska
Serie:Technische Physik in Einzeldarstellungen
Antal sidor:158
Förlag:Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
ISBN:9783642883729

Utforska kategorier

Innehållsförteckning

1. Einleitung.- Literatur.- 2. Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids.- 2.1 Eigenschaften des reinen Galliumarsenids.- 2.2 Eigenschaften des dotierten Galliumarsenids.- Literatur.- 3. Galliumarsenid als Grundmaterial für elektronische Bauelemente.- 3.1 Dioden und Transistoren.- 3.2 Opto-elektronische Bauelemente.- 3.3 Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-) Bauelemente.- 3.4 Germanium-Galliumarsenid-Heterobauelemente.- Literatur.- 4. Herstellung und Prüfung des Galliumarsenid-Grundmaterials.- 4.1 Horizontale Kristallisation.- 4.2 Zugtechnik (Czochralski-Verfahren).- 4.3 Tiegelfreie Zonenschmelze.- 4.4 Epitaxie aus der Gasphase.- 4.5 Prüfung des Kristallmaterials.- Literatur.- 5. Diffusionstechnik.- 5.1 Diffusion aus der Gasphase.- 5.2 Diffusion aus der festen Phase.- 5.3 Maskierung.- Literatur.- 6. Legierungstechnik.- 6.1 Epitaxie aus der flüssigen Phase.- 6.2 Ohmsche Kontakte.- Literatur.- 7. Dioden.- Literatur.- 8. Bipolare Transistoren.- 8.1 npn Transistoren.- 8.2 pnp Transistoren.- 8.3 Vierschichtentransistoren.- Literatur.- 9. Feldeffekttransistoren.- 9.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 9.2 Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode.- 9.3 Feldeffekttransistoren mit Schottky-Kontakt.- Literatur.- 10. Opto-elektronische Bauelemente.- 10.1 Leuchtdioden.- 10.2 Injektionslaser.- Literatur.- 11. Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-)Bauelemente.- Literatur.- 12. Integrierte Bauelemente.- Literatur.

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1. Einleitung.- Literatur.- 2. Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids.- 2.1 Eigenschaften des reinen Galliumarsenids.- 2.2 Eigenschaften des dotierten Galliumarsenids.- Literatur.- 3. Galliumarsenid als Grundmaterial für elektronische Bauelemente.- 3.1 Dioden und Transistoren.- 3.2 Opto-elektronische Bauelemente.- 3.3 Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-) Bauelemente.- 3.4 Germanium-Galliumarsenid-Heterobauelemente.- Literatur.- 4. Herstellung und Prüfung des Galliumarsenid-Grundmaterials.- 4.1 Horizontale Kristallisation.- 4.2 Zugtechnik (Czochralski-Verfahren).- 4.3 Tiegelfreie Zonenschmelze.- 4.4 Epitaxie aus der Gasphase.- 4.5 Prüfung des Kristallmaterials.- Literatur.- 5. Diffusionstechnik.- 5.1 Diffusion aus der Gasphase.- 5.2 Diffusion aus der festen Phase.- 5.3 Maskierung.- Literatur.- 6. Legierungstechnik.- 6.1 Epitaxie aus der flüssigen Phase.- 6.2 Ohmsche Kontakte.- Literatur.- 7. Dioden.- Literatur.- 8. Bipolare Transistoren.- 8.1 npn Transistoren.- 8.2 pnp Transistoren.- 8.3 Vierschichtentransistoren.- Literatur.- 9. Feldeffekttransistoren.- 9.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 9.2 Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode.- 9.3 Feldeffekttransistoren mit Schottky-Kontakt.- Literatur.- 10. Opto-elektronische Bauelemente.- 10.1 Leuchtdioden.- 10.2 Injektionslaser.- Literatur.- 11. Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-)Bauelemente.- Literatur.- 12. Integrierte Bauelemente.- Literatur.