Kap. 1. Der idealisierte Halbleiter.- 1.0 Allgemeines.- 1.1 Das freie Elektron.- 1.2 Das Elektron im Potentialtopf.- 1.3 Das Elektron im periodischen Potential.- 1.4 Die Besetzung der Elektronenzustände.- 1.5 Die Besetzung der obersten Energiebänder; Fermi — Statistik.- Kap. 2. Der Halbleiter mit Störstellen.- 2.0 Allgemeines.- 2.1 Störungen im regelmäßigen Kristallbau.- 2.2 Der Störhalbleiter im Bändermodell.- 2.3 Elektron und Störstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion.- 2.4 Die wichtigsten Störstellenarten.- Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einfluß der Temperatur.- 3.0 Allgemeines.- 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons.- 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons.- 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes.- 3.4 Der Einfluß der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften.- Kap. 4. Die Halbleiteroberfläche.- 4.0 Allgemeines.- 4.1 Die freie Oberfläche.- 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern.- Kap. 5. Der Halbleiter mit gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht.- 5.0 Allgemeines.- 5.1 Die p-n-Grenze.- 5.2 Die Thermospannung.- 5.3 Der innere Photoeffekt.- 5.4 Die Oberfläche bei gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht.- Kap. 6. Die Messung der Halbleiterkonstanten.- 6.0 Allgemeines.- 6.1 Der Bandabstand.- 6.2 Konzentration und energetische Lage von Störstellen.- 6.3 Die Beweglichkeit.- 6.4 Bestimmung der Scheinmasse.- 6.5 Die charakteristischen Zeiten.- 6.6 Die Diffusionslänge.- Literatur.
