Ingolf Ruge – författare

In den letzten Jahren erschienen bereits mehrere Bücher zum Thema Ionenimplanta­ tion, die sich fast ausschließlich an auf dem Gebiet der Ionenimplantation tätige Wissenschaftler wenden und deshalb der Theorie einen sehr breiten Raum einräumen. Im Gegensatz hierzu wendet sich das vorliegende Werk weniger an den Implanta­ tionsfachmann, sondern mehr an Forscher und Entwickler in Industrie, F or­ schungslaboratorien und Hochschulen, die an der Ionenimplantation als neuem Hilfsmittel zur Veränderung von Materialeigenschaften interessiert sind und wissen wollen, ob die Ionenimplantation für ihr Problem anwendbar ist. Bei einer solchen Ausrichtung muß deshalb nach unserer Meinung neben einem kurzen Abriß der theoretischen Grundlagen vor allem die Behandlung von Problemen bei der Anwendung der Implantation im Vordergrund der Darstellung stehen, wovon hier zum Beispiel genannt seien die elektrische Aktivierung implantierter Ionen, Diffusionseffekte sowie die Diskussion der hauptsächlich verwendeten Meß­ methoden zur Untersuchung implantierter Schichten, die apparativen Anforderungen an Beschleunigungssysteme und natürlich zahlreiche Beispiele zur Anwendung der Ionenimplantation. Die Schwerpunkte des Buches liegen bei der Dotierung von Halbleitern durch Ionenimplantation, da dies zur Zeit und wahrscheinlich noch sehr lange ihre Hauptanwendung sein wird; dennoch wird von Fall zu Fall auf die weiteren Möglich­ keiten der Implantation eingegangen.

Aus den Besprechungen: "Der Autor wendet sich mit diesem Buch an Leser, die Halbleiterkomponenten herstellen wollen. Er versucht einen Mittelweg zu nehmen, indem er sich auf grundlegende Theorien abstützt, aber auch technologische Prozesse beschreibt. Auch Schwierigkeiten, die entstehen, wenn neu entwickelte Technologien in die Produktion übergeführt werden müssen, verschweigt er nicht. ..." #PTT Bulletin technique/Technische Mitteilungen# "... Dem Autor dieses Buches ist es gelungen, sowohl die grundlegenden Theorien als auch die technologischen Prozesse und Verfahren in einer lebendigen und eindrucksvollen Art zu behandeln. Das Buch wird viele Freunde finden." #Elin-Zeitschrift# "Das Buch schließt eine Lücke in der deutschsprachigen Literatur, die von Lehrenden und Lernenden und sicher auch von Praktikern stark empfunden wurde. Der Versuch des Verfassers, sich bei der Beschreibung der technologischen Prozesse nicht in Einzelheiten zu verlieren, vielmehr das Grundsätzliche herauszustellen und auch theoretisch abzustützen, darf als geglückt bezeichnet werden..." #AEU Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik#

Aus den Besprechungen: "Der Autor wendet sich mit diesem Buch an Leser, die Halbleiterkomponenten herstellen wollen. Er versucht einen Mittelweg zu nehmen, indem er sich auf grundlegende Theorien abstützt, aber auch technologische Prozesse beschreibt. Auch Schwierigkeiten, die entstehen, wenn neu entwickelte Technologien in die Produktion übergeführt werden müssen, verschweigt er nicht. ..." #PTT Bulletin technique/Technische Mitteilungen# "... Dem Autor dieses Buches ist es gelungen, sowohl die grundlegenden Theorien als auch die technologischen Prozesse und Verfahren in einer lebendigen und eindrucksvollen Art zu behandeln. Das Buch wird viele Freunde finden." #Elin-Zeitschrift# "Das Buch schließt eine Lücke in der deutschsprachigen Literatur, die von Lehrenden und Lernenden und sicher auch von Praktikern stark empfunden wurde. Der Versuch des Verfassers, sich bei der Beschreibung der technologischen Prozesse nicht in Einzelheiten zu verlieren, vielmehr das Grundsätzliche herauszustellen und auch theoretisch abzustützen, darf als geglückt bezeichnet werden..." #AEU Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik#

In recent years great progress has been made in the field of ion implantation, particularly with respect to applications in semiconductors. It would be impos­ sible not to note the growing interest in this field, both by research groups and those directly concerned with production of devices. Furthermore, as several papers have pointed out, ion implantation and its associated technologies promise exciting advances in the development of new kinds of devices and provide power­ ful new tools for materials investigations. It was, therefore, appropriate to arrange the II. International Conference on Ion Implantation in Semiconductors within the rather short time of one year since the first conference was held in 1970 in Thousand Oaks, California. Although ori­ ginally planned on a small scale with a very limited number of participants, more than two hundred scientists from 15 countries participated in the Conference which was held May 24 - 28, 1971 at the Congress Center in Garmisch-Partenkirchen. This volume contains the papers that were presented at the Conference. Due to the tremendous volume of research presented, publication here of all the works in full detail was not possible. Many authors therefore graciously agreed to submit abbreviated versions of their papers.

In recent years great progress has been made in the field of ion implantation, particularly with respect to applications in semiconductors. It would be impos­ sible not to note the growing interest in this field, both by research groups and those directly concerned with production of devices. Furthermore, as several papers have pointed out, ion implantation and its associated technologies promise exciting advances in the development of new kinds of devices and provide power­ ful new tools for materials investigations. It was, therefore, appropriate to arrange the II. International Conference on Ion Implantation in Semiconductors within the rather short time of one year since the first conference was held in 1970 in Thousand Oaks, California. Although ori­ ginally planned on a small scale with a very limited number of participants, more than two hundred scientists from 15 countries participated in the Conference which was held May 24 - 28, 1971 at the Congress Center in Garmisch-Partenkirchen. This volume contains the papers that were presented at the Conference. Due to the tremendous volume of research presented, publication here of all the works in full detail was not possible. Many authors therefore graciously agreed to submit abbreviated versions of their papers.