• Fri frakt över 249 kr
  • •
  • Snabba leveranser
  • •
  • Billiga böcker
Kundservice

Du är på sajten för privatpersoner.

Företag, bibliotek eller offentlig verksamhet?

Du handlar på classic.bokus.com, där alla dina funktioner finns intakta.
Till classic.bokus.com
Bokus logotyp. Gå till startsidan.
  • Erbjudanden
  • Nyheter
  • Student
  • Topplistor
  • Barn & ungdom
  • Bokus Play
  • E-böcker
  • Pocketböcker
  • Spel & pussel

10% rabatt på allt med kod: NYSTART10 →

Sidfot

Mina sidor

    Hjälp

    • Kundservice
    • Vanliga frågor och svar
    • Frakt och leverans
    • Retur vid ångerrätt
    • Reklamera vara
    • Betalning
    • Köpvillkor
    • Allmänna villkor
    • Information om webbplatsens tillgänglighet

    Om Bokus

    • Om oss
    • Pressrum
    • För studenter
    • För företag
    • För bibliotek och offentlig verksamhet
    • För leverantörer
    • Hållbarhet

    Populärt

    • Aktuella erbjudanden
    • Presentkort
    • Studentlitteratur
    • Nya böcker
    • Topplistor
    • Signerade böcker
    • Engelska böcker

    Inspiration

    • Boktips
    • BookTok
    • Populära bokserier
    • Barnbokskaraktärer
    • Populära författare
    Logotyp för Bokus
    Följ oss på Facebook (extern länk)Följ oss på Instagram (extern länk)Följ oss på YouTube (extern länk)Följ oss på TikTok (extern länk)
    bokus @ CookiesAnpassa cookiesIntegritetspolicyKöpvillkor
    Till Citymail hemsida (extern länk)Till Budbee hemsida (extern länk)Till Postnord hemsida (extern länk)Till Schenker hemsida (extern länk)Till Early Bird hemsida (extern länk)Till Walleys hemsida (extern länk)
    1. Naturvetenskap och teknik
    2. Teknik och industri
    3. Elektronik och kommunikationer

    III-Nitride Semiconductors and their Modern Devices

    AvBernard Gil,Bernard Gil

    Inbunden, Engelska, 2013

    Del 18 i serien Series on Semiconductor Science and Technology

    1 560 kr

    Beställningsvara. Skickas inom 7-10 vardagar. Fri frakt över 249 kr.

    Beskrivning

    This book is dedicated to GaN and its alloys AlGaInN (III-V nitrides), semiconductors with intrinsic properties well suited for visible and UV light emission and electronic devices working at high temperature, high frequency, and harsh environments. There has been a rapid growth in the industrial activity relating to GaN, with GaN now ranking at the second position (after Si) among all semiconductors. This is mainly thanks to LEDs, but also to the emergence of lasers and high power and high frequency electronics. GaN-related research activities are also diversifying, ranging from advanced optical sources and single electron devices to physical, chemical, and biological sensors, optical detectors, and energy converters. All recent developments of nitrides and of their technology are gathered here in a single volume, with chapters written by world leaders in the field. This third book of the series edited by B. Gil is complementary to the preceding two, and is expected to offer a modern vision of nitrides and of their devices to a large audience of readers.

    Produktinformation

    • Utgivningsdatum:2013-08-22
    • Mått:166 x 234 x 38 mm
    • Vikt:1 288 g
    • Format:Inbunden
    • Språk:Engelska
    • Serie:Series on Semiconductor Science and Technology
    • Antal sidor:662
    • Förlag:OUP OXFORD
    • ISBN:9780199681723

    Utforska kategorier

    • Elektronik och kommunikationer inom Naturvetenskap och teknik
    • Materietillstånd inom Naturvetenskap och teknik
    • Maskinteknik och material inom Naturvetenskap och teknik

    Mer om författaren

    Bernard Gil was hired at CNRS in 1982 as an Associate Researcher, before being appointed Director of Research in 1995. He was granted the degree of Doctor Honoris Causa from the University of Saint Petersburg in July 2012. He is currently directing the Institute of Physics at Montpellier.

    Recensioner i media

    This book, written by a team of worldwide experts in the field, deals with nitride based materials in 16 chapters. It covers growth and material aspects of nitrides, nano-devices, photonics, advanced transistors, slow light production, and terahertz emission. Emphasis is put on directions of aluminum rich nitrides for UV operation and utilization of silicon substrates.

    Innehållsförteckning

    • 1. Development of the nitride-based UV/DUV LEDs ; 2. The homoepitaxial challenge: GaN crystals grown at high pressure for laser diodes and laser diode arrays ; 3. Epitaxial growth and benefits of GaN on silicon ; 4. The growth of bulk aluminum nitride ; 5. Epitaxial growth of nitride quantum dots ; 6. Properties of InAlN layers nearly lattice-matched to GaN and their use for photonics and electronics ; 7. Growth and optical properties of aluminum rich AlGaN heterostructures ; 8. Optical and structural properties of InGaN light emitters on non- and semipolar GaN ; 9. GaN-based single-nanowire devices ; 10. Advanced photonic and nanophotonic devices ; 11. Nitride-based electron devices for high power / high frequency applications ; 12. Intersubband transitions in low dimensional nitrides ; 13. The slow light in gallium nitride ; 14. Nitride devices and their biofunctionalization for biosensing applications ; 15. Heterovalent ternary II-IV-N2 compounds: perspectives for a new class of wide-band-gap nitrides ; 16. Terahertz emission in polaritonic systems with nitrides